為了給電信、工業和計算應用提供更高的效率和功率密度，Vishay日前推出一款採用 PowerPAK® SO-8S （QFN 6x5） 封裝的新型 150 V TrenchFET® Gen V n 溝道功率 MOSFET。與上一代採用PowerPAK SO-8的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP將總導通電阻降低了68.3%，導通電阻乘以柵極電荷（電源轉換應用 MOSFET 的關鍵品質因數 （FOM））降低了 15.4%，同時 RthJC 降低了 62.5%，連續漏極電流提高了 179%。
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今天發佈的器件在 10 V 電壓下具有 5.6 mW 的業界最低導通電阻和 336 mW*nC 的導通電阻乘以柵極電荷 FOM，可最大限度地降低導通功率損耗。這使設計人員能夠提高效率，以滿足下一代電源要求，例如 6 kW AI 伺服器電源系統。此外，PowerPAK SO-8S 封裝的極低 0.45 °C/W RthJC 可實現高達 144 A 的連續漏極電流，從而提高功率密度，同時提供強大的 SOA 能力。
SiRS5700DP 非常適合同步整流、DC/DC 轉換器、熱插拔開關和 OR-ing 功能。典型的應用包括伺服器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲;電信電源;太陽能逆變器;電機驅動器和電動工具;和電池管理系統。MOSFET 符合 RoHS 標準且無鹵素，經過 100% Rg 和 UIS 測試，符合 IPC-9701 標準，可實現更可靠的溫度迴圈。該元件的標準 6 mm x 5 mm 封裝與 PowerPAK SO-8 封裝完全相容。
SiRS5700DP 現可提供樣品，並已實現量產。有關交貨時間的資訊，請聯繫您當地的銷售辦事處。
Vishay 生產世界上最大的分立半導體和無源電子元件產品群組之一，這些器件對於汽車、工業、計算、消費電子、電信、軍事、航空航太和醫療市場的創新設計至關重要。
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